Plany rozwoju pamięci typu MRAM ujaw­niono już kilka lat temu. W 2008 roku pro­jek­tem za­in­te­re­so­wali się in­we­sto­rzy, a kilka dni temu także rosyjski rząd. MRAM (Ma­gne­to­re­si­stive RAM) to hy­bry­dowy typ pamięci łączący w sobie zalety kości RAM (szybkość dostępu) i pamięci flash (trwałość danych i ich nie­zmien­ność). Nowy rodzaj kostki RAM ma szanse za kilka lat pojawić się na rynku.

W 2008 roku tech­no­lo­gię roz­wi­janą najpierw przez IBM, a później przez wiele innych firm do­strze­gli in­we­sto­rzy. Jedną z firm wio­dą­cych prym w ba­da­niach nad nowym typem pamięci jest EverSpin Tech­no­lo­gies (spółka należąca do Fre­escale Se­mi­con­duc­tor), która kilka dni temu otrzy­mała od rządu ro­syj­skiego 245 milionów dolarów na dalsze prace nad pamięcią MRAM. Pierwsza tura in­we­sty­cyjna w 2008 roku przy­nio­sła spółce 20 milionów dolarów od in­we­sto­rów z New Venture Partners czy Sigma Partners.

MRAM (ma­gne­to­opo­rowa pamięć swo­bod­nego dostępu) zbu­do­wana jest z małych magnesów oraz kon­wen­cjo­nal­nych układów krze­mo­wych. Taka hybryda pamięci flash oraz RAM pozwala na na­tych­mia­stowy start pamięci MRAM oraz brak utraty danych w przy­padku, gdy urzą­dze­nie nagle zostanie odłą­czone od źródła zasilania.

Zaletami tego typu pamięci są przede wszyst­kim nie­ogra­ni­czona ilość cykli zapisu i odczytu, nie­ogra­ni­czony czas prze­cho­wy­wa­nia danych w pamięci po odcięciu za­si­la­nia i bardzo szybki czas dostępu (na poziomie 30 na­no­se­kund). Niestety tech­no­lo­gia ta ma także wady — pamięci MRAM są nie­zgodne z tech­no­lo­gią CMOS, zaś rozmiary ele­men­tar­nej komórki pamięci są dość duże w po­rów­na­niu z pa­mię­ciami typu flash czy SDRAM.

Dlaczego tech­no­lo­gia ta nie jest jeszcze dostępna? Ponieważ pamięci typu MRAM póki co mają za małe po­jem­no­ści (4 megabity). Dalszy rozwój tego typu pamięci przy­nie­sie wzrost ich pojemności.

[ź] venturebeat.com