Plany rozwoju pamięci typu MRAM ujawniono już kilka lat temu. W 2008 roku projektem zainteresowali się inwestorzy, a kilka dni temu także rosyjski rząd. MRAM (Magnetoresistive RAM) to hybrydowy typ pamięci łączący w sobie zalety kości RAM (szybkość dostępu) i pamięci flash (trwałość danych i ich niezmienność). Nowy rodzaj kostki RAM ma szanse za kilka lat pojawić się na rynku.
W 2008 roku technologię rozwijaną najpierw przez IBM, a później przez wiele innych firm dostrzegli inwestorzy. Jedną z firm wiodących prym w badaniach nad nowym typem pamięci jest EverSpin Technologies (spółka należąca do Freescale Semiconductor), która kilka dni temu otrzymała od rządu rosyjskiego 245 milionów dolarów na dalsze prace nad pamięcią MRAM. Pierwsza tura inwestycyjna w 2008 roku przyniosła spółce 20 milionów dolarów od inwestorów z New Venture Partners czy Sigma Partners.
MRAM (magnetooporowa pamięć swobodnego dostępu) zbudowana jest z małych magnesów oraz konwencjonalnych układów krzemowych. Taka hybryda pamięci flash oraz RAM pozwala na natychmiastowy start pamięci MRAM oraz brak utraty danych w przypadku, gdy urządzenie nagle zostanie odłączone od źródła zasilania.
Zaletami tego typu pamięci są przede wszystkim nieograniczona ilość cykli zapisu i odczytu, nieograniczony czas przechowywania danych w pamięci po odcięciu zasilania i bardzo szybki czas dostępu (na poziomie 30 nanosekund). Niestety technologia ta ma także wady – pamięci MRAM są niezgodne z technologią CMOS, zaś rozmiary elementarnej komórki pamięci są dość duże w porównaniu z pamięciami typu flash czy SDRAM.
Dlaczego technologia ta nie jest jeszcze dostępna? Ponieważ pamięci typu MRAM póki co mają za małe pojemności (4 megabity). Dalszy rozwój tego typu pamięci przyniesie wzrost ich pojemności.
[ź] venturebeat.com