Nowe flagowe smartfony na sterydach. Ulepszeń nie zabraknie nawet w pamięci

To już oficjalne – firma SK hynix zakończyła weryfikację swojej nowej pamięci operacyjnej LPDDR5T z mobilnym procesorem Snapdragon 8 Gen 3 firmy Qualcomm. Oznacza to tyle, że już wiemy, jaka pamięć DRAM posłuży do uczynienia z flagowych smartfonów jeszcze wydajniejsze bestyjki.
Nowe flagowe smartfony na sterydach. Ulepszeń nie zabraknie nawet w pamięci

Flagowe smartfony na podwójnych sterydach. Będzie Snapdragon 8 Gen 3 i pamięć LPDDR5T

Ciągle nie są to “szóstki”, ale i ten dzień nadejdzie w odpowiednim czasie. SK hynix niejako potwierdziło, że flagowe smartfony z SoC Snapdragon 8 Gen 3 będą wykorzystywać m.in. siódmą generację pamięci LPDDR, czyli wariantu DDR o obniżonym zużyciu energii. Mowa o pamięci LPDDR5T, która to została właśnie zweryfikowana w połączeniu ze wspomnianym układem od Qualcomm Technologies.

Czytaj też: Kieszonkowe mikroskopy? Zapomnijcie o specjalistycznych narzędziach. Wystarczy sam smartfon

SK hynix ma w planach dostarczanie producentom smartfonów 16-GB “paczek” w formie połączenia wielu pojedynczych chipów LPDDR5T, których prędkość przetwarzania danych wynosi 77 GB na sekundę, a napięcie podczas pracy sięga 1,01~1,12V. Tak świetne liczby okazały się możliwe za sprawą wykorzystania procesu HKMG (High-K Metal Gate) do zapewnienia znacznej poprawy zarówno w kwestii szybkości, jak i wydajności energetycznej przed nadejściem ery jeszcze lepszej pamięci LPDDR6.