Czym będzie pamięć 3D DRAM? Samsung już odpowiada
Firma Samsung na ostatniej konferencji branżowej przedstawiła slajd na prezentacji, który przedstawia różnicę między tradycyjną formą pamięci DRAM, a tą trójwymiarową (3D). Wedle mapy drogowej ta druga ma zacząć wchodzić na rynek od 2025 roku, czyli w przeciągu kilkunastu miesięcy, przekraczając poziom 10 nm i przede wszystkim porzucając tradycyjne podejście z formą i pozycją tranzystorów. Zamiast ograniczać się do osi X i Y, Samsung sięgnie też po niewykorzystywaną ciągle w sektorze DRAM oś Z, czyli wysokość pamięci.
Czytaj też: Nowe procesory Intela wykryte w kolejnej generacji laptopów Samsunga
Takie rozszerzenie obejmie wykorzystanie pionowych tranzystorów kanałowych (VCT – Vertical Channel Transistor) oraz “układanymi” na siebie DRAM”. To ostatecznie zmniejszy zajmowaną powierzchnię urządzenia, zapewniając w zamian wyższą wydajność, a nawet pojemność i to potencjalnie do nawet 100 GB w przyszłości. Szczegółów co do pierwszej wersji takiej pamięci nadal jednak nam brakuje.