To osiągnięcie Samsunga oznacza, że technologia jest gotowa do masowej produkcji i zaoferuje lepszą wydajność
Czytaj też: W niedalekiej przyszłości Chiny mogą stać się największą na świecie odlewnią układów scalonych
Zgodnie z doniesieniami na portalu Korea Herald, Samsung uzyskał wewnętrzną zgodę na rozpoczęcie masowej produkcji swojej szóstej generacji pamięci DRAM, wykorzystującej zaawansowany proces klasy 10 nm (oznaczany jako 1c DRAM). Według innych informacji Samsung osiągał imponujące wskaźniki wydajności rzędu 50-70% w testach dla procesu 1c DRAM, potwierdzając zdolność firmy do utrzymania dwuletniego harmonogramu rozwoju między kolejnymi generacjami produktów.
Czytaj też: Nauczyciele w szkołach przyszłości — strzeżcie się nowości w Google Classroom
Jest to bardzo ważna informacja w kontekście strategii Samsunga w obszarze pamięci HBM (High Bandwidth Memory), ponieważ firma planuje rozpocząć masową produkcję HBM4 w drugiej połowie tego roku, wykorzystując właśnie tę nowo opracowaną technologię DRAM szóstej generacji. W maju Samsung Electronics ogłosił już przyjęcie technologii hybrydowego łączenia dla przyszłych stosów pamięci HBM4.
Czytaj też: Nowa wersja Nvidia DLSS może zmniejszyć problem 8 GB ilości VRAM
Ich celem jest zmniejszenie oporu cieplnego przy jednoczesnym zapewnieniu ultraszerokich interfejsów pamięci, co jest kluczowe dla rosnących wymagań przepustowości i wydajności w aplikacjach AI i obliczeniach wysokiej wydajności. Dla nas oznacza to w przyszłości lepsze serwery obsługujące naszych asystentów w wielu firmach, a także w teorii tańsze i szerzej dostępne oferty dla firm korzystających z mocy obliczeniowych wielkich serwerów.